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高純度氧化鋁粉如何更好的運(yùn)用在電子陶瓷行業(yè)
電子陶瓷的優(yōu)良性能基于其粉體的高質(zhì)量。因此，高質(zhì)量陶瓷粉體的制備是獲得性能優(yōu)良電子陶瓷的關(guān)鍵。目前常用的電子封裝陶瓷材料中，氧化鋁具有較為優(yōu)異的綜合性能，是目前電子行業(yè)中應(yīng)用廣的陶瓷材料。
?從理論角度、實(shí)際應(yīng)用的角度考慮，首先是從微觀形貌上講，關(guān)注電子陶瓷領(lǐng)域核心的應(yīng)用，業(yè)內(nèi)會(huì)關(guān)注兩個(gè)方向:高純氧化鋁的燒結(jié)活性和高純氧化鋁的應(yīng)用特性。
Taimicron是采用戴美化學(xué)多年培育的鋁化合物合成技術(shù)生產(chǎn)的高純度、超細(xì)精細(xì)陶瓷粉末。 Taimicron是基于2(OH)3AlCO4
銨鈉鋁石（NH
高強(qiáng)耐磨材料
人造骨、牙科材料、軸承等。
電子材料
IC基板、半導(dǎo)體制造夾具、傳感器等
光學(xué)材料
透光陶瓷、紅寶石、YAG等
其他
各種填料、合成尖晶石、催化劑載體等
燒結(jié)用太微粉是一種高純度α-氧化鋁粉末，由于其初級(jí)顆粒細(xì)小且單晶，可以在極低的溫度下燒結(jié)致密化。
■特點(diǎn)
99.99%以上的高純度超細(xì)粉末。
它在低溫下燒結(jié)并致密化。
經(jīng)過1250℃至1300℃燒成，致密化至理論密度的98%以上。
可以獲得表現(xiàn)出氧化鋁原有性能的優(yōu)異燒結(jié)體。
陶瓷具有高強(qiáng)度、高硬度、優(yōu)異的耐磨性和耐腐蝕性。
可以容易地獲得半透明陶瓷
可以通過HIP燒結(jié)等獲得半透明陶瓷。
■典型特性值
| 年級(jí) | 超濾膜 | TM-DA | TM-DAR | TM-5D | |
| 晶型 | α-氧化鋁 | α-氧化鋁 | α-氧化鋁 | α-氧化鋁 | |
| BET比表面積 | 平方米/克 | 17.0 | 12.5 | 13.5 | 9.0 |
| 一次粒徑*1 | 微米 | 0.09 | 0.12 | 0.12 | 0.20 |
| 靜態(tài)堆積密度 | 克/立方厘米 | 0.8 | 0.8 | 0.9 | 0.8 |
| 振實(shí)密度 | 克/立方厘米 | 1.0 | 0.9 | 1.0 | 1.1 |
| 成型密度*2 | 克/立方厘米 | 2.3 | 2.2 | 2.3 | 2.3 |
| 燒結(jié)密度 | 克/立方厘米 | 3.93 *3 | 3.95 *4 | 3.96 *4 | 3.93 *5 |
*1：根據(jù)SEM照片測(cè)量 *2：單軸壓制成型（98MPa）
*3：1250℃ *4：1350℃ *5：1400℃（在空氣中各燒成1小時(shí)）
主相為γ、θ的氧化鋁。
■特點(diǎn)
具有極細(xì)顆粒和大比表面積的粉末。
它具有高活性和優(yōu)異的反應(yīng)活性。
■典型特性值
| 年級(jí) | TM-100 | TM-300 | TM-100D | TM-300D | |
| 晶型 | θ-氧化鋁 | γ-氧化鋁 | θ-氧化鋁 | γ-氧化鋁 | |
| BET比表面積 | 平方米/克 | 120 | 220 | 120 | 200 |
| 一次粒徑*1 | 微米 | 0.014 | 0.007 | 0.014 | 0.010 |
| 靜態(tài)堆積密度 | 克/立方厘米 | 0.15 | 0.05 | 0.40 | 0.40 |
| 振實(shí)密度 | 克/立方厘米 | 0.18 | 0.08 | 0.60 | 0.60 |
*1：根據(jù) BET 值計(jì)算
